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消息称三星13nm内存研发失利:1nm之差花了两年也搞不定

时间:2022-04-14 14:55:06

与逻辑工艺一样,内存芯片工艺在进入20nm节点之后也陷入了难以制造的境地,三星作为全球内存一哥虽然走在了技术开发的前列,但是在新一代内存研发上也面临困难,最新消息称13nm工艺的内存已经宣告失利。

简单说下,内存工艺在20nm节点之后就有不同断代方法,之前用的是1x、1y、1z,后来又有了1a、1b、1c工艺,不过三星、SK海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样,有时公布的还是数字+nm命名的,反正内存工艺命名是有些混乱的。

总体来说,三星在DRAM工艺上是最先进的,2020年率先研发成功1z工艺内存,大概是15nm级别的,2021年又宣告研发成功1a工艺内存,也就是14nm工艺的,还首次使用了EUV光刻工艺。

再往下就是1b工艺了,大概是12-13nm级别,三星去年宣布成立专门的研发团队攻克1b工艺内存,然而最新消息称三星已经中断了研发,13nm级别的内存被间接承认失败。

内存工艺在14nm之后是否就此停滞?现在还不好说,三星也表示会对研究方向进行探讨,我们现在能知道的就是14nm之后的研发会很难,哪怕突破1nm工艺,2年时间都没搞定。

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